2SK566 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK566
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Encapsulados: TO3P
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2SK566 datasheet
2sk566.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK566 FEATURES Drain Current I =2.9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 800V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies ,
Otros transistores... 2SJ156 , 2SJ171 , 2SK2071-01L , 2SK399 , 2SK400 , 2SK429 , 2SK562 , 2SK564 , IRFB7545 , 2SK602 , 2SK604 , 2SK610 , 2SK616 , 2SK617 , 2SK622 , 2SK627 , 2SK629 .
History: 2SK617 | 2SK4002 | MTM3N80
History: 2SK617 | 2SK4002 | MTM3N80
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