2SK566 Todos los transistores

 

2SK566 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK566

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SK566 datasheet

 ..1. Size:236K  inchange semiconductor
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2SK566

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK566 FEATURES Drain Current I =2.9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 800V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed especially for high voltage,high speed applications, such as off-line switching power supplies ,

 9.1. Size:256K  toshiba
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2SK566

"MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1" "MG8G4EM1"

 9.2. Size:184K  no
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2SK566

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History: 2SK617 | 2SK4002 | MTM3N80

 

 

 


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