2SK617 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK617
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: TO220F
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2SK617 datasheet
2sk617.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK617 FEATURES Drain Current I =1A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 800V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay dri
2sk615.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK615 2SK615 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 Features 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Direct drive possible with CMOS, TTL Easy automatic- /manual-insertion due to M type package. Self-fix- 0.85 ing to printed circuits board. 0.55 0.1 0.45 0.05 3 2 1 Absolute Maximu
Otros transistores... 2SK429 , 2SK562 , 2SK564 , 2SK566 , 2SK602 , 2SK604 , 2SK610 , 2SK616 , MMIS60R580P , 2SK622 , 2SK627 , 2SK629 , 2SK630 , 2SK631 , 2SK632 , 2SK633 , 2SK634 .
History: 2SK4002 | MTM3N80
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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