DTU40N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTU40N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 121 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DTU40N06
DTU40N06 Datasheet (PDF)
dtu40n06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DTU40N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features Pin Description 60V/40ARDS (ON) = 20m (Type) @ VGS=10V RDS (ON) = 28m (Type) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedPIN1 TO-252 packageLead Free and Green Devices Available (ROHS Compliant) Applications Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Ba
dtu40n06.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DTU40N06www.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise no
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .