DTU40N06 Todos los transistores

 

DTU40N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTU40N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO252

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DTU40N06 datasheet

 ..1. Size:205K  daysemi
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DTU40N06

DTU40N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features Pin Description 60V/40A RDS (ON) = 20m (Type) @ VGS=10V RDS (ON) = 28m (Type) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged PIN1 TO-252 package Lead Free and Green Devices Available (ROHS Compliant) Applications Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Ba

 ..2. Size:808K  cn vbsemi
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DTU40N06

DTU40N06 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise no

Otros transistores... 2SK763 , 2SK766 , 2SK767 , 40N20 , FIR4N65F , IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , IRF630 , SUP40N06-25L , SUB40N06-25L , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 .

History: IRF8010 | SLD60R650S2 | SLD65R420S2 | 2SK1165 | APQ03SN80CF | OSG55R074HSZF | SLU65R700S2

 

 

 

 

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