SUB40N06-25L Todos los transistores

 

SUB40N06-25L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUB40N06-25L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO263

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SUB40N06-25L datasheet

 ..1. Size:58K  vishay
 sup40n06-25l sub40n06-25l.pdf pdf_icon

SUB40N06-25L

SUP/SUB40N06-25L Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic Level PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.022 @ VGS = 10 V 40 60 60 0.025 @ VGS = 4.5 V 40 TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View G D S SUB40N06-25L S Top View N-Channel MOSFET SUP40N06-25L ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol

Otros transistores... 2SK767 , 40N20 , FIR4N65F , IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , AON7408 , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 .

History: 30P06 | NTD4904N | 2SK3857CT | IRF3205LPBF | LXP152ALT1G

 

 

 

 

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