SUB40N06-25L Todos los transistores

 

SUB40N06-25L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUB40N06-25L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SUB40N06-25L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  vishay
 sup40n06-25l sub40n06-25l.pdf pdf_icon

SUB40N06-25L

SUP/SUB40N06-25LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET, Logic LevelPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.022 @ VGS = 10 V 4060600.025 @ VGS = 4.5 V 40TO-220ABDTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSUB40N06-25L STop ViewN-Channel MOSFETSUP40N06-25LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol

Otros transistores... 2SK767 , 40N20 , FIR4N65F , IRFP256 , IRFP257 , SUD40N06-25L , DTU40N06 , SUP40N06-25L , 2N7000 , BR80N08A , KIA2806A , SPD22N08S2L-50 , SPD50N06S2-14 , SPN02N60C3 , SPP80N06S2-05 , SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 .

History: HMS8N70F | IPD90N04S4-03 | LPM9435 | WML20N50D1 | D1096 | WSF80N06H | IRLMS2002TR

 

 
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