KIA2806A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KIA2806A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 857 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO263 TO247 TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA2806A

KIA2806A Datasheet (PDF)

..1. Size:446K kia
kia2806a.pdf

150A60V2806AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS01. Features R =3.5mtyp.@ V =10VDS(on) GS 100% avalanche tested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHS Compliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems UPS3.SymbolPin Function1

8.1. Size:147K kia
kia2808a.pdf

150A80V2808AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =4.0mtyp.@V =10VDS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device availableRoHSCompliant2. Applications Switching application Power management for inverter systems3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1

8.2. Size:211K kia
kia2803a.pdf

150A30V2803AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =2.2mtyp.@V =10VDS(on) GS LowOn-Resistance Fast Switching 100%AvalancheTested RepetitiveAvalancheAllowed up toTjmax Lead-Free, RoHSCompliant2. FeaturesKIA2803A designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance.Additional

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Liste

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