GKI03026 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GKI03026
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 945 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de GKI03026 MOSFET
GKI03026 Datasheet (PDF)
gki03026.pdf

30 V, 40 A, 2.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03026 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 3.0 m max. (VGS = 10 V, ID = 68.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------25.8 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID =
gki03039.pdf

30 V, 26 A, 3.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03039 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 4.0 m max. (VGS = 10 V, ID = 47.2 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID =
gki03061.pdf

30 V, 26 A, 5.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03061 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 6.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 9.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 39
gki03080.pdf

30 V, 26 A, 6.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03080 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 8.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 25.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 7.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 31
Otros transistores... SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , SPB100N06S2L-05 , G1003 , G1818 , G2002L , AON7506 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 , GKI04076 , GKI04101 , GKI06071 .
History: PX5S6EA | PSMN008-75P | IRFH5215 | APTM50AM24SCG | HCS80R380S | RUM002N02T2L | WMB58N03T1
History: PX5S6EA | PSMN008-75P | IRFH5215 | APTM50AM24SCG | HCS80R380S | RUM002N02T2L | WMB58N03T1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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