GKI03026 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GKI03026
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 945 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для GKI03026
GKI03026 Datasheet (PDF)
gki03026.pdf

30 V, 40 A, 2.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03026 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 3.0 m max. (VGS = 10 V, ID = 68.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------25.8 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID =
gki03039.pdf

30 V, 26 A, 3.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03039 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 4.0 m max. (VGS = 10 V, ID = 47.2 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.5 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID =
gki03061.pdf

30 V, 26 A, 5.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03061 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 6.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 9.3 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 39
gki03080.pdf

30 V, 26 A, 6.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI03080 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 30 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 8.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 25.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 7.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 15 V, ID = 31
Другие MOSFET... SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , SPB100N06S2L-05 , G1003 , G1818 , G2002L , AON7506 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 , GKI04076 , GKI04101 , GKI06071 .
History: VN99AK | STD2HNK60Z-1 | FDD8453LZ-F085 | IPU78CN10N | BLM4953A | IRLR2908 | IPP180N10N3G
History: VN99AK | STD2HNK60Z-1 | FDD8453LZ-F085 | IPU78CN10N | BLM4953A | IRLR2908 | IPP180N10N3G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g