GKI04031 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GKI04031
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GKI04031

GKI04031 Datasheet (PDF)

..1. Size:242K sanken-ele
gki04031.pdf

40 V, 40 A, 2.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04031 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 3.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 51.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------26.4 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =

8.1. Size:242K sanken-ele
gki04048.pdf

40 V, 26 A, 4.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04048 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 5.4 m max. (VGS = 10 V, ID = 35.4 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID =

8.2. Size:361K sanken-ele
gki04076.pdf

40 V, 26 A, 6.9 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04076 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 8.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.3 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 7.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 29

9.1. Size:361K sanken-ele
gki04101.pdf

40 V, 26 A, 9.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI04101 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 40 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 11.6 m max. (VGS = 10 V, ID = 18.8 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 5.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 20 V, ID = 23.

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: