GP1M008A025XX Todos los transistores

 

GP1M008A025XX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1M008A025XX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
 

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GP1M008A025XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  globalpower
 gp1m008a025xx.pdf pdf_icon

GP1M008A025XX

GP1M008A025HGGP1M008A025FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested250V 8A

 5.1. Size:384K  globalpower
 gp1m008a050xx.pdf pdf_icon

GP1M008A025XX

GP1M008A050HGGP1M008A050FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 8A

 5.2. Size:502K  globalpower
 gp1m008a050xg.pdf pdf_icon

GP1M008A025XX

GP1M008A050CG GP1M008A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 5.3. Size:1382K  globalpower
 gp1m008a080xx.pdf pdf_icon

GP1M008A025XX

GP1M008A080HGP1M008A080FHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested800V 8A

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History: PHD9NQ20T | LNC06R230 | FHU2N60A

 

 
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