GP1M008A080XX Todos los transistores

 

GP1M008A080XX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1M008A080XX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de GP1M008A080XX MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GP1M008A080XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1382K  globalpower
 gp1m008a080xx.pdf pdf_icon

GP1M008A080XX

GP1M008A080HGP1M008A080FHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested800V 8A

 5.1. Size:384K  globalpower
 gp1m008a050xx.pdf pdf_icon

GP1M008A080XX

GP1M008A050HGGP1M008A050FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 8A

 5.2. Size:502K  globalpower
 gp1m008a050xg.pdf pdf_icon

GP1M008A080XX

GP1M008A050CG GP1M008A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 5.3. Size:381K  globalpower
 gp1m008a025xx.pdf pdf_icon

GP1M008A080XX

GP1M008A025HGGP1M008A025FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested250V 8A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GP1M006A065XH , GP1M006A065XX , GP1M006A070XX , GP1M007A065XX , GP1M007A090XX , GP1M008A025XX , GP1M008A050XG , GP1M008A050XX , IRFP064N , GP1M009A020XG , GP1M009A020XX , GP1M009A050XXX , GP1M009A060XX , GP1M009A070X , GP1M009A090N , GP1M009A090XX , GP1M010A060XX .

History: MMBFJ113 | NVHL025N65S3

 

 
Back to Top

 


 
.