GP1M008A080XX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP1M008A080XX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 146 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP1M008A080XX
GP1M008A080XX Datasheet (PDF)
gp1m008a080xx.pdf
GP1M008A080HGP1M008A080FHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested800V 8A
gp1m008a050xx.pdf
GP1M008A050HGGP1M008A050FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 8A
gp1m008a050xg.pdf
GP1M008A050CG GP1M008A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A
gp1m008a025xx.pdf
GP1M008A025HGGP1M008A025FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested250V 8A
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Liste
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