GP1M012A060XX Todos los transistores

 

GP1M012A060XX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GP1M012A060XX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
 

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GP1M012A060XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  globalpower
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GP1M012A060XX

GP1M012A060HGP1M012A060FHVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 12A Low gate chargeRDS(on) = 0.65 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M012A060H TO-220 GP1M012A060H RoHSGP1M012A060FH TO-220F GP1M012A060FH Halogen FreeAbsolute

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GP1M012A060XX

GP1M013A050HGP1M013A050FHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 13A Low gate chargeRDS(on) = 0.48 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M013A050H TO-220 GP1M013A050H RoHSGP1M013A050FH TO-220F GP1M013A050FH Halogen FreeAbsolute

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GP1M012A060XX

GP1M018A020HG(H)GP1M018A020FG(H)N-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 18A

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GP1M012A060XX

GP1M018A020CG GP1M018A020PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) MAX 100% avalanche tested 200V 18A

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History: NCE65T360I | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | 2N80G-TF3-T | 2N6917 | BSC190N15NS3G

 

 
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