GP1M016A025XX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GP1M016A025XX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO-220 TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de GP1M016A025XX MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GP1M016A025XX datasheet

 ..1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A025HG GP1M016A025FG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 250V 16A

 2.1. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

 5.1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 5.2. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A060H GP1M016A060F(H) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... GP1M010A080N, GP1M010A080XX, GP1M011A050XX, GP1M011A050XXX, GP1M012A060XX, GP1M013A050XX, GP1M015A050XX, GP1M016A025XG, AO3400, GP1M016A060N, GP1M016A060XX, GP1M018A020XG, GP1M018A020XX, GP1M020A050N, GP1M020A060M, GP1M020A060N, GP1M023A050N