Справочник MOSFET. GP1M016A025XX

 

GP1M016A025XX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M016A025XX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M016A025XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  globalpower
 gp1m016a025xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A025HGGP1M016A025FGN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge250V 16A

 2.1. Size:521K  globalpower
 gp1m016a025xg.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A025CG GP1M016A025PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

 5.1. Size:563K  globalpower
 gp1m016a060n.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

 5.2. Size:391K  globalpower
 gp1m016a060xx.pdf pdf_icon

GP1M016A025XX

GP1M016A060HGP1M016A060F(H)N-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HGP1K2N25ML | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | IPB019N08N3G

 

 
Back to Top

 


 
.