GP2M005A060XG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GP2M005A060XG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 98.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 25 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220 TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GP2M005A060XG
GP2M005A060XG Datasheet (PDF)
gp2m005a060xg.pdf
GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A
gp2m005a060xxx.pdf
GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A
gp2m005a050xx.pdf
GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A
gp2m005a050xg.pdf
GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A
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