GSM1306 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM1306

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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GSM1306 datasheet

 ..1. Size:1193K  globaltech semi
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GSM1306

GSM1306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1306, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A , RDS(ON)= 430m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.2A , RDS(ON)= 580m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A , RDS(ON)= 860m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

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GSM1306

GSM1304 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 340m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 680m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

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GSM1306

GSM1304E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 320m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 450m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 580m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devi

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GSM1306

GSM1303 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A , RDS(ON)= 600m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A , RDS(ON)= 800m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A , RDS(ON)= 1300m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These de

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