GSM1413 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM1413

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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GSM1413 datasheet

 ..1. Size:808K  globaltech semi
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GSM1413

GSM1413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A , RDS(ON)= 125m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A , RDS(ON)= 160m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly sui

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GSM1413

GSM1433 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A , RDS(ON)= 150m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.6A , RDS(ON)= 185m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly su

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GSM1413

GSM1443 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1443, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A , RDS(ON)= 78m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.8A , RDS(ON)= 105m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

Otros transistores... GSM1072E, GSM1073, GSM1073E, GSM1303, GSM1304, GSM1304E, GSM1306, GSM1330S, IRFB31N20D, GSM1433, GSM1443, GSM1563, GSM1810, GSM1912, GSM1913, GSM2014, GSM2301