GSM1413 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM1413
   Código: 13*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM1413

GSM1413 Datasheet (PDF)

..1. Size:808K globaltech semi
gsm1413.pdf

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9.1. Size:893K globaltech semi
gsm1433.pdf

GSM1433 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A , RDS(ON)= 150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.6A , RDS(ON)= 185m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly su

9.2. Size:873K globaltech semi
gsm1443.pdf

GSM1443 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1443, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A , RDS(ON)= 78m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.8A , RDS(ON)= 105m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

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Liste

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