Справочник MOSFET. GSM1413

 

GSM1413 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM1413
   Маркировка: 13*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для GSM1413

 

 

GSM1413 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:808K  globaltech semi
 gsm1413.pdf

GSM1413 GSM1413

GSM1413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A , RDS(ON)= 125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A , RDS(ON)= 160m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly sui

 9.1. Size:893K  globaltech semi
 gsm1433.pdf

GSM1413 GSM1413

GSM1433 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A , RDS(ON)= 150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.6A , RDS(ON)= 185m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly su

 9.2. Size:873K  globaltech semi
 gsm1443.pdf

GSM1413 GSM1413

GSM1443 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1443, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A , RDS(ON)= 78m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.8A , RDS(ON)= 105m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: GP2M007A065XG | DMP210DUDJ

 

 
Back to Top