GSM1433 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM1433
   Código: 33*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.35 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM1433

GSM1433 Datasheet (PDF)

..1. Size:893K globaltech semi
gsm1433.pdf

GSM1433 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1433, P-Channel enhancement mode -30V/-3.0A , RDS(ON)= 150m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.6A , RDS(ON)= 185m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly su

9.1. Size:808K globaltech semi
gsm1413.pdf

GSM1413 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A , RDS(ON)= 125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A , RDS(ON)= 160m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly sui

9.2. Size:873K globaltech semi
gsm1443.pdf

GSM1443 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1443, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A , RDS(ON)= 78m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.8A , RDS(ON)= 105m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

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