GSM1912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM1912
   Código: 12*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.06 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM1912

GSM1912 Datasheet (PDF)

..1. Size:907K globaltech semi
gsm1912.pdf

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8.1. Size:998K globaltech semi
gsm1913.pdf

GSM1913 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=600m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.5A,RDS(ON)=800m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1600m@VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particu

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: