Справочник MOSFET. GSM1912

 

GSM1912 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM1912
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для GSM1912

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:907K  globaltech semi
 gsm1912.pdf pdf_icon

GSM1912

GSM1912 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited f

 8.1. Size:998K  globaltech semi
 gsm1913.pdf pdf_icon

GSM1912

GSM1913 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=600m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.5A,RDS(ON)=800m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1600m@VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particu

Другие MOSFET... GSM1304E , GSM1306 , GSM1330S , GSM1413 , GSM1433 , GSM1443 , GSM1563 , GSM1810 , STP65NF06 , GSM1913 , GSM2014 , GSM2301 , GSM2301A , GSM2301AS , GSM2301S , GSM2302AS , GSM2302S .

History: 7N65G-TF2-T | BUK7K8R7-40E | 2SK2423 | SPB03N60C3 | STL9N60M2 | AP96LT07GP-HF | 9926B

 

 
Back to Top

 


 
.