GSM1912 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM1912

Маркировка: 12*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.06 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для GSM1912

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1912 даташит

 ..1. Size:907K  globaltech semi
 gsm1912.pdf pdf_icon

GSM1912

GSM1912 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m @VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited f

 8.1. Size:998K  globaltech semi
 gsm1913.pdf pdf_icon

GSM1912

GSM1913 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=600m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.5A,RDS(ON)=800m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1600m @VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particu

Другие IGBT... GSM1304E, GSM1306, GSM1330S, GSM1413, GSM1433, GSM1443, GSM1563, GSM1810, IRFZ46N, GSM1913, GSM2014, GSM2301, GSM2301A, GSM2301AS, GSM2301S, GSM2302AS, GSM2302S