GSM2330 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM2330

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: SOT-23-3L

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GSM2330 datasheet

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GSM2330

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GSM2330

GSM2330A 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2330A, N-Channel enhancement mode 90V/2.8A,RDS(ON)=200m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/2.0A,RDS(ON)=210m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

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GSM2330

GSM2336A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2336A, N-Channel enhancement mode 30V/1.8A,RDS(ON)=380m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.5A,RDS(ON)=480m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/1.2A,RDS(ON)=900m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are p

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GSM2330

GSM2333A GSM2333A 25V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -25V/-2.8A,RDS(ON)=145m @VGS=-10V GSM2333A, P-Channel enhancement mode -25V/-2.4A,RDS(ON)=180m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) Exceptional on-resis

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