GSM2913W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM2913W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Encapsulados: DFN2X2-6L
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GSM2913W datasheet
gsm2913w.pdf
GSM2913W GSM2913W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2913W, P-Channel enhancement mode -30V/-4.5A,RDS(ON)=120m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.8A,RDS(ON)=155m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited
gsm2912.pdf
GSM2912 GSM2912 20V N-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2912, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particula
gsm2911.pdf
GSM2911 GSM2911 20V P-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2911, P-Channel enhancement mode P-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.5A,RDS(ON)= 96m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These -20V/-3.8A,RDS(ON)=128m @VGS=-2.5V devices are particularly suited for low voltage -20V/-2.5A,RDS(ON)=180m @VGS=-1.8V po
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History: RJK0856DPB | GSM2379 | SFP052N80C3 | SFF12N60
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