Справочник MOSFET. GSM2913W

 

GSM2913W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM2913W
   Маркировка: W13*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L

 Аналог (замена) для GSM2913W

 

 

GSM2913W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1420K  globaltech semi
 gsm2913w.pdf

GSM2913W GSM2913W

GSM2913W GSM2913W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2913W, P-Channel enhancement mode -30V/-4.5A,RDS(ON)=120m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.8A,RDS(ON)=155m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

 8.1. Size:902K  globaltech semi
 gsm2912.pdf

GSM2913W GSM2913W

GSM2912 GSM2912 20V N-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2912, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particula

 8.2. Size:886K  globaltech semi
 gsm2911.pdf

GSM2913W GSM2913W

GSM2911 GSM2911 20V P-CH Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2911, P-Channel enhancement mode P-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.5A,RDS(ON)= 96m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These -20V/-3.8A,RDS(ON)=128m@VGS=-2.5V devices are particularly suited for low voltage -20V/-2.5A,RDS(ON)=180m@VGS=-1.8V po

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top