GSM3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM3400
   Código: 00*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23-3L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM3400

GSM3400 Datasheet (PDF)

..1. Size:891K globaltech semi
gsm3400.pdf

GSM3400 GSM3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/2.8A,RDS(ON)=58m@VGS=2.5V gate charge. These devices are particularly Super high density cell des

0.1. Size:922K globaltech semi
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GSM3400A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=54m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.8A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=65m@VGS=2.5V Super high density cell design for These devices are particularly suited for lo

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30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400AS, N-Channel enhancement mode 30V/2.8A,RDS(ON)=50m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.5A,RDS(ON)=55m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=75m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for

0.3. Size:921K globaltech semi
gsm3400s.pdf

GSM3400S GSM3400S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 30V/4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=10V GSM3400S, N-Channel enhancement mode 30V/3.0A,RDS(ON)=44m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.6A,RDS(ON)=50m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) The

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Liste

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