GSM3400 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM3400
Маркировка: 00*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-3L
GSM3400 Datasheet (PDF)
gsm3400.pdf
GSM3400 GSM3400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400, N-Channel enhancement mode 30V/4.0A,RDS(ON)=48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 30V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 30V/2.8A,RDS(ON)=58m@VGS=2.5V gate charge. These devices are particularly Super high density cell des
gsm3400a.pdf
GSM3400A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=54m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.8A,RDS(ON)=58m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=65m@VGS=2.5V Super high density cell design for These devices are particularly suited for lo
gsm3400as.pdf
30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3400AS, N-Channel enhancement mode 30V/2.8A,RDS(ON)=50m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.5A,RDS(ON)=55m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=75m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for
gsm3400s.pdf
GSM3400S GSM3400S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 30V/4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=10V GSM3400S, N-Channel enhancement mode 30V/3.0A,RDS(ON)=44m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/2.6A,RDS(ON)=50m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) The
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F