GSM3424 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM3424

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SOT-23-3L

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GSM3424 datasheet

 ..1. Size:883K  globaltech semi
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GSM3424

GSM3424 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are pa

 0.1. Size:772K  globaltech semi
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GSM3424

GSM3424A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=85m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.0A,RDS(ON)=95m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=265m @VGS=4.5V Super high density cell design for extremely These devices are

 8.1. Size:883K  globaltech semi
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GSM3424

GSM3426 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3426, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=36m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=40m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=52m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 8.2. Size:912K  globaltech semi
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GSM3424

GSM3425 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3425, P-Channel enhancement mode -20V/-4.0A,RDS(ON)=56m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are

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