GSM3424 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3424

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

Аналог (замена) для GSM3424

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3424 даташит

 ..1. Size:883K  globaltech semi
 gsm3424.pdf pdf_icon

GSM3424

GSM3424 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are pa

 0.1. Size:772K  globaltech semi
 gsm3424a.pdf pdf_icon

GSM3424

GSM3424A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=85m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.0A,RDS(ON)=95m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=265m @VGS=4.5V Super high density cell design for extremely These devices are

 8.1. Size:883K  globaltech semi
 gsm3426.pdf pdf_icon

GSM3424

GSM3426 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3426, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=36m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=40m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=52m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 8.2. Size:912K  globaltech semi
 gsm3425.pdf pdf_icon

GSM3424

GSM3425 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3425, P-Channel enhancement mode -20V/-4.0A,RDS(ON)=56m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM3410, GSM3411, GSM3413, GSM3413A, GSM3414A, GSM3414S, GSM3415, GSM3416, 75N75, GSM3424A, GSM3425, GSM3426, GSM3430W, GSM3432, GSM3434W, GSM3436, GSM3446