GSM4102W Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM4102W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.158 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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GSM4102W datasheet

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GSM4102W

GSM4102W 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4102W, N-Channel enhancement mode 100V/3.8A,RDS(ON)=158m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/3.0A,RDS(ON)=175m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

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GSM4102W

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GSM4102W

GSM4124WS 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 40V/14A,RDS(ON)=8m @VGS=10V GSM4124WS, N-Channel enhancement mode 40V/12A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) SOP-8P package design These devices are particul

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GSM4102W

GSM4172S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4172S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=12m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/13A,RDS(ON)=15m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

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