GSM4637 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM4637

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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GSM4637 datasheet

 ..1. Size:1229K  globaltech semi
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GSM4637

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta

 0.1. Size:617K  globaltech semi
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GSM4637

GSM4637W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)=37m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)=54m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

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GSM4637

GSM4634WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4634WS, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=5.8m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/15A,RDS(ON)=7.2m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON)

Otros transistores... GSM4535W, GSM4539S, GSM4539WS, GSM4546, GSM4559, GSM4599, GSM4599W, GSM4634WS, AON7506, GSM4637W, GSM4804, GSM4822S, GSM4822WS, GSM4850WS, GSM4874WS, GSM4896, GSM4900W