GSM4637 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GSM4637
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для GSM4637
GSM4637 Datasheet (PDF)
gsm4637.pdf

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta
gsm4637w.pdf

GSM4637W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)=37m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)=54m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for
gsm4634ws.pdf

GSM4634WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4634WS, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=5.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/15A,RDS(ON)=7.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON)
Другие MOSFET... GSM4535W , GSM4539S , GSM4539WS , GSM4546 , GSM4559 , GSM4599 , GSM4599W , GSM4634WS , IRFP250 , GSM4637W , GSM4804 , GSM4822S , GSM4822WS , GSM4850WS , GSM4874WS , GSM4896 , GSM4900W .
History: STP19N05L | TPU60R3K4C | SRC65R170B | UTT80N10 | LNG06R110 | BUK445-200B | SMK1360FD
History: STP19N05L | TPU60R3K4C | SRC65R170B | UTT80N10 | LNG06R110 | BUK445-200B | SMK1360FD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125