GSM4874WS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM4874WS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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GSM4874WS datasheet

 ..1. Size:908K  globaltech semi
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GSM4874WS

 9.1. Size:747K  globaltech semi
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GSM4874WS

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=44m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage powe

 9.2. Size:826K  globaltech semi
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GSM4874WS

GSM4896 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4896, N-Channel enhancement mode 100V/6.8A,RDS(ON)=115m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/5.6A,RDS(ON)=125m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for lo

 9.3. Size:723K  globaltech semi
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GSM4874WS

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4804, N-Channel enhancement mode 40V/16A,RDS(ON)= 48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/10A,RDS(ON)= 70m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

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