GSM4946 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM4946

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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GSM4946 datasheet

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GSM4946

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4946, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=42m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

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GSM4946

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GSM4946

GSM4946BW 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4946BW, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=65m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

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GSM4946

GSM4948 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4948, P-Channel enhancement mode -60V/-4.0A,RDS(ON)= 100m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-3.0A,RDS(ON)= 120m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

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