GSM5008S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM5008S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: TO-252
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GSM5008S datasheet
gsm5008s.pdf
GSM5008S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5008S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 8.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 10.5m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-2
gsm5004s.pdf
GSM5004S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-25
gsm501dea.pdf
GSM501DEA 600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700 @VGS=10V Power MOSEFT which is produced using VDMOS 600V/3mA,RDS(ON)=700 @VGS=4.5V technology. Depletion-mode (Normally-on) Improved ESD ability Fast switching The improved planar stripe cell have been especially Impr
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Liste
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