GSM5008S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GSM5008S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для GSM5008S
GSM5008S Datasheet (PDF)
gsm5008s.pdf

GSM5008S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5008S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 8.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 10.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-2
gsm5004s.pdf

GSM5004S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM5004S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)= 5.5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)= 6.5m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-25
gsm501dea.pdf

GSM501DEA 600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM501DEA is an N-channel depletion-mode 600V/16mA,RDS(ON)=700@VGS=10V Power MOSEFT which is produced using VDMOS 600V/3mA,RDS(ON)=700@VGS=4.5V technology. Depletion-mode (Normally-on) Improved ESD ability Fast switching The improved planar stripe cell have been especially Impr
Другие MOSFET... GSM4948 , GSM4953S , GSM4953WS , GSM4996 , GSM4997 , GSM4998 , GSM4998W , GSM5004S , 60N06 , GSM501DEA , GSM5604 , GSM5606 , GSM6202S , GSM6236S , GSM6332 , GSM6405 , GSM6405WS .
History: BL18N20-A | CEF840L | AP9962AGJ-HF | ME2301DC | NCE65NF068T | PSMN3R0-60PS | HGA059N08A
History: BL18N20-A | CEF840L | AP9962AGJ-HF | ME2301DC | NCE65NF068T | PSMN3R0-60PS | HGA059N08A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460