GSM6236S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM6236S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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GSM6236S datasheet

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GSM6236S

GSM6236S GSM6236S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6236S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)=3.3m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=4.3m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:952K  globaltech semi
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GSM6236S

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

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