GSM6236S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM6236S
Código: 6236S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM6236S
GSM6236S Datasheet (PDF)
gsm6236s.pdf
GSM6236S GSM6236S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6236S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)=3.3m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=4.3m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited for low
gsm6202s.pdf
GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited
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