GSM6236S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM6236S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для GSM6236S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6236S даташит

 ..1. Size:1363K  globaltech semi
 gsm6236s.pdf pdf_icon

GSM6236S

GSM6236S GSM6236S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6236S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)=3.3m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=4.3m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:952K  globaltech semi
 gsm6202s.pdf pdf_icon

GSM6236S

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие IGBT... GSM4998, GSM4998W, GSM5004S, GSM5008S, GSM501DEA, GSM5604, GSM5606, GSM6202S, IRFB7545, GSM6332, GSM6405, GSM6405WS, GSM6424, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561