Справочник MOSFET. GSM6236S

 

GSM6236S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM6236S
   Маркировка: 6236S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для GSM6236S

 

 

GSM6236S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1363K  globaltech semi
 gsm6236s.pdf

GSM6236S GSM6236S

GSM6236S GSM6236S 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6236S, N-Channel enhancement mode 40V/20A,RDS(ON)=3.3m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/15A,RDS(ON)=4.3m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:952K  globaltech semi
 gsm6202s.pdf

GSM6236S GSM6236S

GSM6202S GSM6202S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM6202S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=5.2m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=7.0m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top