GSM6424 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM6424

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

 Búsqueda de reemplazo de GSM6424 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GSM6424 datasheet

 ..1. Size:1035K  globaltech semi
 gsm6424.pdf pdf_icon

GSM6424

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m @VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-

 9.1. Size:1072K  globaltech semi
 gsm6405 gsm6405ws.pdf pdf_icon

GSM6424

Otros transistores... GSM501DEA, GSM5604, GSM5606, GSM6202S, GSM6236S, GSM6332, GSM6405, GSM6405WS, RU7088R, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561, GSM6562, GSM6601, GSM6602, GSM6604