GSM6424 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM6424
Código: 4S*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
Carga de la puerta (Qg): 3 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM6424
GSM6424 Datasheet (PDF)
gsm6424.pdf
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30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6424,N-Channel enhancement mode 30V/5.0A,RDS(ON)=38m@VGS=10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-
gsm6405 gsm6405ws.pdf
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30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6405TSF, P-Channel enhancement mode -30V/-5.0A,RDS(ON)=55m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.0A,RDS(ON)=85m@VGS=-4.5V provide excellent RDS (ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
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History: BRD4N70