GSM6601 Todos los transistores

 

GSM6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM6601
   Código: 01*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 2.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

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GSM6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1465K  globaltech semi
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GSM6601 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6601, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.4A,RDS(ON)=68m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m@VGS=4.5V 30V/2.0A,RDS(ON)=90m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage po

 8.1. Size:1570K  globaltech semi
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20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6604, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V voltage power managem

 8.2. Size:1520K  globaltech semi
gsm6602.pdf

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GSM6602 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6602, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=75m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m@VGS=4.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -30V/-2.7A,RDS(ON)=130m@VGS=-10V voltag

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