GSM6604 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM6604

Código: 04*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: TSOP-6P

 Búsqueda de reemplazo de GSM6604 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GSM6604 datasheet

 ..1. Size:1570K  globaltech semi
 gsm6604.pdf pdf_icon

GSM6604

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.5A,RDS(ON)=52m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=62m @VGS=2.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m @VGS=-4.5V voltage power managem

 8.1. Size:1465K  globaltech semi
 gsm6601.pdf pdf_icon

GSM6604

GSM6601 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6601, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.4A,RDS(ON)=68m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m @VGS=4.5V 30V/2.0A,RDS(ON)=90m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage po

 8.2. Size:1520K  globaltech semi
 gsm6602.pdf pdf_icon

GSM6604

GSM6602 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6602, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=75m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-2.7A,RDS(ON)=130m @VGS=-10V voltag

Otros transistores... GSM6424, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561, GSM6562, GSM6601, GSM6602, IRFZ44N, GSM6801, GSM6820, GSM6830, GSM6993, GSM7002, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T