GSM6604 Todos los transistores

 

GSM6604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GSM6604
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6P
 

 Búsqueda de reemplazo de GSM6604 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GSM6604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1570K  globaltech semi
 gsm6604.pdf pdf_icon

GSM6604

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6604, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V voltage power managem

 8.1. Size:1465K  globaltech semi
 gsm6601.pdf pdf_icon

GSM6604

GSM6601 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6601, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.4A,RDS(ON)=68m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m@VGS=4.5V 30V/2.0A,RDS(ON)=90m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage po

 8.2. Size:1520K  globaltech semi
 gsm6602.pdf pdf_icon

GSM6604

GSM6602 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6602, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=75m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m@VGS=4.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -30V/-2.7A,RDS(ON)=130m@VGS=-10V voltag

Otros transistores... GSM6424 , GSM6506S , GSM6520S , GSM6530S , GSM6561 , GSM6562 , GSM6601 , GSM6602 , IRFZ44N , GSM6801 , GSM6820 , GSM6830 , GSM6993 , GSM7002 , GSM7002J , GSM7002K , GSM7002T .

History: ME7686-G | PJW1NA60 | MCH6660 | QM4004S | QM4004D | GSM6820 | VN10LM

 

 
Back to Top

 


 
.