GSM6604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM6604
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6P
Búsqueda de reemplazo de GSM6604 MOSFET
GSM6604 Datasheet (PDF)
gsm6604.pdf

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6604, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V voltage power managem
gsm6601.pdf

GSM6601 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6601, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.4A,RDS(ON)=68m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m@VGS=4.5V 30V/2.0A,RDS(ON)=90m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage po
gsm6602.pdf

GSM6602 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6602, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=75m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m@VGS=4.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -30V/-2.7A,RDS(ON)=130m@VGS=-10V voltag
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History: MPSD60M600 | RSQ025P03FRA | MVGSF1N02LT1G | AP70T15GI-HF | LSC65R180GT | H5N2306PF | SCH1345
History: MPSD60M600 | RSQ025P03FRA | MVGSF1N02LT1G | AP70T15GI-HF | LSC65R180GT | H5N2306PF | SCH1345



Liste
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