Справочник MOSFET. GSM6604

 

GSM6604 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM6604
   Маркировка: 04*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6P

 Аналог (замена) для GSM6604

 

 

GSM6604 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1570K  globaltech semi
 gsm6604.pdf

GSM6604 GSM6604

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6604, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.5A,RDS(ON)=52m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=62m@VGS=2.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V voltage power managem

 8.1. Size:1465K  globaltech semi
 gsm6601.pdf

GSM6604 GSM6604

GSM6601 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6601, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.4A,RDS(ON)=68m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m@VGS=4.5V 30V/2.0A,RDS(ON)=90m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage po

 8.2. Size:1520K  globaltech semi
 gsm6602.pdf

GSM6604 GSM6604

GSM6602 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6602, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=75m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m@VGS=4.5V P-ChannelThese devices are particularly suited for low -30V/-2.7A,RDS(ON)=130m@VGS=-10V voltag

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top