GSM6604 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM6604

Маркировка: 04*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6P

Аналог (замена) для GSM6604

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM6604 даташит

 ..1. Size:1570K  globaltech semi
 gsm6604.pdf pdf_icon

GSM6604

20V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6604, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.5A,RDS(ON)=52m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.6A,RDS(ON)=62m @VGS=2.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m @VGS=-4.5V voltage power managem

 8.1. Size:1465K  globaltech semi
 gsm6601.pdf pdf_icon

GSM6604

GSM6601 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6601, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.4A,RDS(ON)=68m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/3.0A,RDS(ON)=74m @VGS=4.5V 30V/2.0A,RDS(ON)=90m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low P-Channel voltage po

 8.2. Size:1520K  globaltech semi
 gsm6602.pdf pdf_icon

GSM6604

GSM6602 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6602, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.5A,RDS(ON)=75m @VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.6A,RDS(ON)=100m @VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-2.7A,RDS(ON)=130m @VGS=-10V voltag

Другие IGBT... GSM6424, GSM6506S, GSM6520S, GSM6530S, GSM6561, GSM6562, GSM6601, GSM6602, IRFZ44N, GSM6801, GSM6820, GSM6830, GSM6993, GSM7002, GSM7002J, GSM7002K, GSM7002T