GSM8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GSM8205
Código: 05*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.8 V
Carga de la puerta (Qg): 8.2 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM8205
GSM8205 Datasheet (PDF)
gsm8205.pdf
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gsm8206.pdf
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