GSM8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GSM8205
   Código: 05*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GSM8205

GSM8205 Datasheet (PDF)

..1. Size:436K globaltech semi
gsm8205.pdf

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=37m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ext

8.1. Size:846K globaltech semi
gsm8206.pdf

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

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History: IXTA5N50P

Liste

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