GSM8205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM8205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для GSM8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8205 даташит

 ..1. Size:436K  globaltech semi
 gsm8205.pdf pdf_icon

GSM8205

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=37m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ext

 8.1. Size:846K  globaltech semi
 gsm8206.pdf pdf_icon

GSM8205

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

Другие IGBT... GSM7402, GSM7412, GSM7420, GSM7424S, GSM7472S, GSM7617WS, GSM7619WS, GSM7923WS, AON6414A, GSM8206, GSM8411, GSM8412, GSM8439, GSM8451, GSM8452, GSM8459, GSM8471