Справочник MOSFET. GSM8205

 

GSM8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM8205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  globaltech semi
 gsm8205.pdf pdf_icon

GSM8205

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8205, N-Channel enhancement mode 20V/5A,RDS(ON)=29m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=37m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=50m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for ext

 8.1. Size:846K  globaltech semi
 gsm8206.pdf pdf_icon

GSM8205

GSM8206 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8206, P-Channel enhancement mode -20V/-4.5A,RDS(ON)=56m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

Другие MOSFET... GSM7402 , GSM7412 , GSM7420 , GSM7424S , GSM7472S , GSM7617WS , GSM7619WS , GSM7923WS , IRFB4110 , GSM8206 , GSM8411 , GSM8412 , GSM8439 , GSM8451 , GSM8452 , GSM8459 , GSM8471 .

History: IRFU3704 | HM30P10K | SVD3205F | AUIRFR8405 | PHX27NQ11T | 2SK3065 | STE30NK90Z

 

 
Back to Top

 


 
.