GSM9435WS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GSM9435WS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SOP-8P

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GSM9435WS datasheet

 ..1. Size:951K  globaltech semi
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GSM9435WS

GSM9435WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=58m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

 7.1. Size:955K  globaltech semi
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GSM9435WS

GSM9435S P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9435S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=52m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

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GSM9435WS

GSM9434WS 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9434WS, P-Channel enhancement mode -20V/-6.5A,RDS(ON)= 42m @VGS= -4.5V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.5A,RDS(ON)= 58m @VGS= -2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)= 72m @VGS= -1.8V Super high density cell design for extremely These

 9.1. Size:807K  globaltech semi
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GSM9435WS

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