INJ0303AC1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: INJ0303AC1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SC-59

 Búsqueda de reemplazo de INJ0303AC1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

INJ0303AC1 datasheet

 ..1. Size:106K  isahaya
 inj0303ac1.pdf pdf_icon

INJ0303AC1

 9.1. Size:241K  isahaya
 inj0312ac1.pdf pdf_icon

INJ0303AC1

INJ0312AC1 High Speed Switching Silicon P-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INJ0312AC1 is a Silicon P-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.

 9.2. Size:115K  isahaya
 inj0312ap1.pdf pdf_icon

INJ0303AC1

Otros transistores... INJ0003AM1, INJ0003AU1, INJ0011AC1, INJ0011AM1, INJ0011AU1, INJ0203AC1, INJ0203BC1, INJ0212AP1, IRFZ44N, INJ0312AC1, INJ0312AP1, INK0001AC1, INK0001AM1, INK0001AU1, INK0001BC1, INK0001BM1, INK0001BU1