INK021AAP1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: INK021AAP1
   Código: KD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-62

Búsqueda de reemplazo de MOSFET INK021AAP1

INK021AAP1 Datasheet (PDF)

..1. Size:121K isahaya
ink021aap1.pdf

8.1. Size:133K isahaya
ink0210ac1.pdf

INK0210AC1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INK0210AC1 is a Silicon N-channel MOSFET. 2.8 This product is most suitable for use such as portable 0.65 1.5 0.65 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive elect

8.2. Size:136K isahaya
ink0210ap1.pdf

INK0210AP1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INK0210AP1 is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 4.4machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 1.51.6FEATURE Input impedance is high, and not necessary to MARKINGconsider a drive electric current.

9.1. Size:115K isahaya
ink0200ac1.pdf

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Liste

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