INK0302AC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: INK0302AC1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-59
Búsqueda de reemplazo de INK0302AC1 MOSFET
INK0302AC1 Datasheet (PDF)
ink0302ac1.pdf
INK0302AC1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit INK0302AC1 is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.
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History: IRHM7264SE | STD25N10F7 | SFB077N100AC2 | RUS100N02 | UT6898G-S08-R | AUIRLS3036
History: IRHM7264SE | STD25N10F7 | SFB077N100AC2 | RUS100N02 | UT6898G-S08-R | AUIRLS3036
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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