INK0302AC1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: INK0302AC1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SC-59
Аналог (замена) для INK0302AC1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
INK0302AC1 даташит
ink0302ac1.pdf
INK0302AC1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit INK0302AC1 is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 2.8 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 0.65 1.5 0.65 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current.
Другие MOSFET... INK0112AC1 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , INK011BAP1 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , IRLB4132 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF , IRC540PBF , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF .
History: RUH1H139R | ELM34604AA
History: RUH1H139R | ELM34604AA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60