IRC530PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRC530PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220-5
Búsqueda de reemplazo de IRC530PBF MOSFET
IRC530PBF Datasheet (PDF)
irc530pbf.pdf

PD-96001BIRC530PbF Lead-Freewww.irf.com 12/10/05IRC530PbF2 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 3IRC530PbF4 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 5IRC530PbF6 www.irf.comIRC530PbFwww.irf.com 7IRC530PbF8 www.irf.comIRC530PbFHexsenseTO-220 5L Package Outline ( Dimensions are shown in millimeters (inches)Hexsense TO-220 5L Part Marking InformationEXAMPL
Otros transistores... INK011BAP1 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , 4435 , IRC540PBF , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF .
History: AON6566 | AOI4146 | VBZM13N50 | NTMFS5C442NLT1G | YJQ35N04A | SIR426DP | AO3452
History: AON6566 | AOI4146 | VBZM13N50 | NTMFS5C442NLT1G | YJQ35N04A | SIR426DP | AO3452



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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