IRC730PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRC730PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220-5
Búsqueda de reemplazo de IRC730PBF MOSFET
IRC730PBF Datasheet (PDF)
Otros transistores... INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF , IRC540PBF , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , AON7410 , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRCZ24 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST .
History: BSB053N03LPG | 30N06L-TF1-T | 2SK2531
History: BSB053N03LPG | 30N06L-TF1-T | 2SK2531
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
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