IRCZ24PBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRCZ24PBF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-220-5

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IRCZ24PBF datasheet

 ..1. Size:141K  international rectifier
 ircz24 ircz24pbf.pdf pdf_icon

IRCZ24PBF

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 8.1. Size:145K  international rectifier
 ircz24.pdf pdf_icon

IRCZ24PBF

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Otros transistores... IRC634PBF, IRC640PBF, IRC644PBF, IRC730PBF, IRC740PBF, IRC830PBF, IRC840PBF, IRCZ24, RFP50N06, IRCZ34, ISL9N302AP3, ISL9N302AS3ST, IVN5000AND, IVN5000ANE, IVN5000ANF, IVN5000ANH, IVN5001AND